В,И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.П.Ханеев. Экспериментальное изучение процессов теп-лопереноса при плавлении диэлектриков с помощью прямого ВЧ-нагрева в холодном контейнере .........
П.И.Антонов, С.И.Бахолдин, М.Г.Васильев, В.М.Крымов,
В.С.Кферев, Управление распределением температуры и дефектностью структуры профилированных кристаллов фторидов лития и кальция ................ 24
П.И.Антонов, В.М.Крымов, Е.П.Романова, В.С.Кферев. Распределение температуры и термических напряжений в кремниевых тонкостенных многогранниках, выращиваемых из рас-
.плава по способу Степанова .............,26
Ю.В.Апанович, Е.Д.Дшкис. Математическое моделирование
процесса зонной плавки двухкомпонентного материала . , 26 СЛ.Атабаев, В.Т.Габриелян, С.В.Патурян, В.И.Полежаев,
А.И.Простомолотов. Исследование конвективного теплообмена при выращивании монокристаллов методом Чохраль-
ского . *...........'...........30
В.Б.Воронцов, А.К.Бездомов. Акустический эффект при кристаллизации алгминия.............» ... 32
Ю.К.Воронько, А.Б.Кудрявцев, А.А.Соболь, Б.В.Сорокин.
Исследование процессов кристаллизации расплавов галли-евых гранатов методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света .... ..... 35
В.Д.Голышев, М.А.Гоник. Теплофизические свойства высокотемпературных полупрозрачных расплавов ........ 37
В.И.Данилюк, А.Ю.Машихин. Моделирование критического зародыша кристалла в расплаве............. . 39
А.А.&юльянов, Н.А.Рубцов, М.Н.Дулин. Аномальное излучение частиц окислов металлов при кристаллизации в неравновесных условиях...................41
В.О.Есин. Сверхподвижность межфаэной границы кристалл -
расплав.......................43
А.В.Зыкова, Л.А.Литвинов. Влияние фронта кристаллизации на образование зародышей критического размера ...... 45
-415-
Й.Л.Илъин, Д.Р.Лагкуев, В.А.Мошников. Кристаллизафш узкозонных полупроводниковых твердых растворов в условиях вращающейся печи...................47
А.Б.Каплун, исследование фазовых превращений в жидких средах с помощью механических колебательных систем ... 49
Е.С.Кучеренко. Структура поверхности кристаллов при
плавлении......................gj
В.Р.ЛюбинскиЙ, В.Д.Петриченко, В.И.Потрашков. Экспериментальное исследование граничных условий качественного выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава...................* . 52
О.Г.Лалбандян. ЭДС, возникапдие при затвердевании ионных
расплавов ... ............. ...... 54
А.М.ОвруцкиЙ, В.Н.Шелудько, Анализ молекулярной шероховатости границы кристалл - расплав в двух- и трехкомпо— нентных системах ................... 56
Е.С.Омаров, С.М.Тезекеев. Кавитационные эффекты в процессах роста и плавления кристаллов...........59
Г.И.Петрунин, М.И.Тимошечкин, В.Г.Попов. О возможности выращивания кристаллов структуры граната с заданными тешюфизическими свойствами.....•........62
Н.М.Пономарев, И.А.Ремизов. Численное моделирование концентрационных полей в расплаве при выращивании монокристаллов сложных оксидных соединений с широкой областью гомогенности (на примере гадолиний-галлиевого граната)....... . ...............64
В.И.Стрелов, В.С.Маньшин, Б.Г.Захаров, В.А.Пугачев.
Особенности распределения температур в монокристаллах ГГГ большого диаметра при их выращивании по методу Чохральского.....................66
Л.П.Тарабаев, А.Ю.Машихин. Моделирование роста кристалла
в переохлажденном расплаве..............67
Д.Е.Темкин. Образование двухфазной структуры при нагревании образца током ......... ......... 69
 

-416-2. Формы роста. Устойчивость
Е.В.Агапова, Г.Н.Панкин, В.В.Пономарев, В.Н.Ларионов,
А.Я.Денисов. Особенности формирования субструктуры в монокристаллах высоколегированных сплавов при ячеистом и дендритном росте .................. 72
А.Г.Борисов, 0.П.Федоров, В.В.Маслов. Экспериментальное
исследование дендритного роста в двухкомпонентном рас-. плаве....................-. . . . 75
И.Г.Бродова, И.В.Поленц. Формы роста кристаллов первичных
фаз в сплавах алюминия с переходными металлами .... 77
В.Г.Глебовский» В.Н.Семенов, В.В.Ломейко. Выращивание
трубчатых кристаллов вольфрама методом ЭЛЗП ..... 60
БЧН.Евтодий, Е.А.Кац, Л.К.Поляк, Л.К.Фионова. Исследование морфологии поверхности профилированных поликристаллов кремния в связи с юс структурой и кинетикой роста , , 83
В.О.Есин, Л.П.Тарабаев. Кинетический фазовый переход в
формах роста кристалла................85
Э.Н.Колесникова, В.С.Кферев, Ячеистые структуры фронта кристаллизации в системах с малыми коэффициентами распределения....................... .87
Р.В.Корень, М.Д.Любалин. Морфология кристаллов алямо-иттри-евых гранатов, выращенных из расплава методом Чохраль-ского..........,.............. 89
А.С.Кривоносова, И.Н.Саттыбаев, Т.Г.Федорова. Влияние скорости кристаллизации на кинетические формы роста ГЩ кристаллов......................92
М.Д.Любалш. Атомные пакеты в структуре граней и форма
кристаллов......................94
З.А.Матысина, Л.М.Чуприна. рост кристаллов висмута в двух-компонентных расплавах................96
М.И.Мусатов, И.Н.Петунина. Обращение фронта кристаллизации при выращивании кристаллов корунда .......... 98
Г.Н.Панкин, В.В.Пономарев, Е.В.Агапова, А.И.Катаев. Влияние магнитного поля на рост и структурное совершенство кристаллов твердых растворов .............. 101
-417-
Ю.ПодолинскиЯ, Ю.Н.Таран, Б.Г.Дрыкин. Классификация
бинарных эвтектик........\.........IQ4
В.А.Сазонова, И.А.Заболоцкая. Морфологические особенности роста дендритов в условиях сильнопереохлажденного расплава.......................Юб
В.Н.Семенов, П.В.Ситников. Формы роста кристаллов германия
в сплавах с переходными металлами..........109
А.А.Фролов, С.В.Устелемов. Устойчивость внешней поверхности кристаллов при выращивании из расплава способом Чохралъского.....................НО
S. Захват примеси. Влияние примеси на рост кристалла
Р.Н.Валасакян, в.Т.Габриелян, Э.П.Коканян. Факторы, определяющие изменение состава кристаллов LiNbQo ....
В.Л.Бронштейн, А.А.Чернов. Разделение зарядов при замерзании воды и кристаллизационный гидролиз........
А.Л.Гончаров, 3.А.Сальник, В.А.Смирнов, И.В.Старшинова, А.И.Погодин. Численный анализ распределения кислорода при выращивании монокристаллов кремния в условиях МГД-воз действия.....................Ц8
А.С.Дэюба, А.Я.Дульфан, И.В.СолунскиЙ. Отталкивание твердых частиц кристаллом, растущим послойно из расплава с примесями.....................120
А.С.Дзюба, В.И.Квитка. Взаимодействие включений расплава,
движущихся в кристалле в поле температурного градиента 123
В.С.Земсков, Т.М.Ткачева, С.Н.Горин, Г.Н.Петров. О.В.Пелевин, В.Ф.Кескпла, А.Ф.Зибольд, А.Б.Капуста, Выращивание монокристаллов кремния во вращапцемся магнитном поле: аппаратура, гидродинамика расплава и свойства . 126
И.П.Зибров, О.И.Лямина, Т.М.Туркина, Е.В.Тарасова, Б.П.Соболев, П.П.Федоров. Расчет коэффициентов распределения примеси из кривых ликвидуса бинарных систем ..... 128

О.Д.Колотий, Б.Л.Ткман. Влияние фронта на термокапиллярную
конвекцию вокруг пузырька газа ............ 130
К.А.Кривандина, О.И.Лямина, А.А.Самохина, Б.П.Соболев.
Распределение SrP2 по ДДИне монокристаллов LaT_x5rxFo_x (0,05 == х^5 0,15) при выращивании из расплава .... 132
Д.Б.Овсиенко. И.К.Засимчук, Е.И.Соснина. Влияние растворимых добавок на субструктуру монокристаллов металлов (обзор).......................134
А.Г.Петросян. Распределение примесей в алюминиевых гранатах при росте в геометрии Бриджмена ......... 136
В.Д.Самарская, Р.М.Мясникова, Распределение примеси в молекулярных твердых растворах при равновесной кристаллизации......................138
В.В.Соболев. Анализ захвата газовых пузырьков растущими
кристаллами.....................140
П. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ П.И.Антонов, С.П.Никаноров. Профилированные кристаллы
полупроводников ................... 144
Х.С.Багдасаров. Монокристаллические технологические лазеры
- новая перспектива в обрабатывающей промышленности . 146 В.А.Бородин, В.В.Сидоров, Т.А.Стериополо, В.А.Татарченко, Т.Н.Яловец. Локальное формообразование в выращивание сложных сапфировых изделий из расплава на установке
"кристаллизационный центр" .............. 148
С.К.Брантов, В.А.Татарченко, К.Н.Филонов, Б.М.Эпельбаум. Выращивание ленточного кремния по способу двух формообразующих элементов (ДФЭ).............. 150
А.А.Каминский, Б.В.Милль. Ацентричные лазерные кристаллы
со структурой Са3ва26е4014..............153
М.П.Кулаков. Получение крупногабаритных кристаллов П-У1-
соединений на расплава.....'...........154
R
-419-
БЛС. Севастьянов, Э.Я.Станишевский, И.Е.Лифшиц, Ю.А.Старостин, Ю.В.Семенков, К.А.Карбачинский, Л.С.Старостина, А.П.Чиркин, И. А. Цимбал, И.А.Емельянов, Н.К.Скрыган. Принципы И параметры установок ИКАН для выращивания кристаллов методом Чохральского , характеристики выращенных кристаллов .................. 156
Б.П.Соболев. Многокомпонентные монокристаллические фторид-
ные материалы (синтез, структура, свойства) ..... 158
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
I. Полупроводники.
ш т Элементы, соединения A W , халькогениды
О.Б.Алексеева, В.В.Бадиков, О.Ю.Лисица, Г.С.Шевырдяева.
Область гомогенности и выращивание кристаллов AgSa^e, 162
В.В.Бадиков, А.Г.Тюлюпа, Г.С.Шевырдяева. Получение и неко-
торые свойства селеногерманогаллата серебра ..... 164
А.И.Баландина, В.А.Исаев, Д.Р.Лаптева, В.В.Попов. Выращивание крупных легированных монокристаллов тиогаллата кадмия ....................... 166
И.Е.Барчий, Е.Ю.Переш, М.И.Горват, Н.М.Яночко. Получение
V VI У VT
и свойства монокристаллов Т?оВ^Съ и T&rCi , где
V,,-5 VT^ 3D Л
У -S6. В1, (Г1 -Se, Те .............. 168
Д.П.Белоцкий, И.Н.Горбатюк, О.Д.Пустыльник, В.П.Шафранис, В.И.Каленик, А.В.Русенко, О.А.Боднарук, И.М.Раренко. Процессы роста, кристаллическая структура и стабиль-
ность свойств монокристаллов CoLMri^Oj Те
(О < х $. 0,4; 0 * у ^ 0,2) .............. 169
Н.И.Блецкан, В.Л.Воробьев, Б.Ю.Голубенков, В.Б.Майзавов. Выращивание монокристаллов кремния методом Чохральского с подпиткой расплаве ............... 171
М.Ф, Буланый, А.А.Андреев, Л.А.Можаровский, Ф.Ф.Коджеспиров. Получение и некоторые свойства монокристаллов твердых растворов соединений А В** ........ ; . . . . 173
В.Г.Воеводин, С.А.Березиая, Т.В.Ведерникова. Получение монокристаллов in GeP2 методом Бриджмена и анализ их гомогенности ............. ........ 174

В.К.Гартман, Ю.Н. Иванов. Выращивание из расплава кристал-
лов Aij^M/^S .................... 176
Л.А.Горбунов , Б.С.Зеысков, М.Р.Раухман, Т.Б.Вирясова,
Особенности выращивания монокристаллов антимонида индия в верти ica льном магнитном поле . , ........ 178
В.Б.Злокаэов, С.В.Карпачев, Г.М.Злоказова, Выращивание
монокристаллов АоВ^Ср и изучение ионного электропереноса в них ...... ............... 160
Ю.М.Иванов, Н.И.Костава, И.М.Фодчук. Получение совершенных: кристаллов те^дурида кадмия направленной кристаллизацией расплава . ,
моно-
А.Г.Кирдяшкин, В.З.Дистанов. Особенности выращивания
кристаллов методом Стокбаргера с применением модулированного вращопия ростового контейнера ........ 184
Г.А.Колобова, Л, М. Морено, В. В. Раков, И. В. Степанкова,
Б.Н.Шаронов, С.П.Гришина, В.АЛижов. Влияние состава расплава и легирования изовалентнши примесями на структурные совершенства и свойства монокристаллов арсенида галлия, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации ............. 186
М.П.Кулаков, Н.Н.Колесников. Исследование некоторых
свойств расплавов ряда соединений группы лУ* . . , 168 А.М.Носовский, В.Б.Освенский, И.С.Арефьев, С.С.Шифрин. Влияние давления инертного газа на свойства монокристаллов арсенида галлия, выращенных методом Чохраль-ского с жидкостной герметизацией расплава ...... 190
А.В.Орса,- Ю.М.Шашков. Условия выращивания монокристаллов кремния с высокой -радиальной однородностью распределения легирующей примеси ............... 192
А. Е. Попов, Е.М.Авербах, А.С.Скуратов. Условия получения, морфология, структура, состав и свойства монокристаллов диарсенида германия ....... . ....... 194
3. А. Сальник, Е.С.Левшин, Ю.А.Микляев.- Методы повышения однородности распределения кислорода в монокристаллах кремния диаметром 100 + 150 мм ........... 196
-421-
2. Диэлектрики а. Галогениды
П.И.Антонов, Ю.Г.Носов. Слоистые профилированные кристаллы
- новый класс материалов ....*.........200
С.Н.Балякин, В.Н.Ерофеев. Выращивание и исследование
.свойств кристаллов КС1-УаС1 ... .......... 202
Б.А.Беликович, Н.К.Глосковская, А.Б.Лыскович, С.С.Новосад, Р.М.Турчак. Выращивание кристаллов йодистого кадмия и их оптические свойства.............. 204'
Г.Т.Бродзели, М.И.Намталишвили, Г.Р.Петросян, Л.И.Перелъман Выращивание легированных монокристаллов галогенидов серебра для использования в инфракрасных оптических системах......................206
С.В.Кун, А.А.Богуславский, А.В.Кун, Р.Щ.Лотфуллин, В.Б.Лазарев, Е.Ю.Переш. Получение и исследование методом ЯКР монокристаллов соединений м1^2(812)Вг9(1д) . . . 208
А.Н.Синев. К вопросу о качестве 1фупногабаритных профилированных кристаллов фтористого бария ........ 210
б. Окислы, силикаты и прочие
В.И.Александров, В.П.Войцицкий, М.А.Вишнякова, Е.Е.Ломоно-ва, В.А.Мызина, В.В.Осико. Выращивание монокристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония, легированных титаном ................ 214
В.И.Александров, И.А.Герасимова, М.А.Вишнякова, Ф.В.Кала-бухова, А.В.Колесников, Е.Е.Ломонова, В.А.Мызина, В.А.Панов, В.В.Осико, Выращивание монокристаллов калыдий-ниобий-галлиевых гранатов методом вытягивания на затравку из холодного контейнера .... ..... 216
М.Е.Андреев, В.А.Ванышев, В.С.Коваленко, Е.В.Полянский,
Е.Г.Яроцкая. Влияние газовых сред на рост фторфлого-пита из расплава..................218

Г.А.Арзуманян. С.Н.Ряднов, А.В.Гарникян, Х.С.Багда-саров. Выращивание, свойства и применение в лазерной десорбционной масс-спектрометрии кристаллов ос- А121803 ........ ...... 220
М.Г.Аюпов, В.И.Гусев, И.А.Емельянов, К.А.Карбачинс-кий, А.Я.Коган, И.Е.Лифшиц, Б.К.Севастьянов, Ю.В.Семенков, П.К.Скрыган, Э.Я.Станишевсккй, Ю.А.Старостин. А.И.Цимбал, А.ПЛиркин. Автоматизированная система выращивания кристаллов методом Чохральского . ,........ 222
А.М.Балбашов, А.В.Казанский, М.М.Конькова, С.Г.Павлова, Выращивание монокристаллов немагнитных шпинелей методом бестигельной зонной плавки * 224
К.Г.Белабаев, ВД.Саркисов. Выращивание кристаллов молибдата гадолиния для устройств обработки сигналов на поверхностных акустических волнах 225
Л.Н.Беленович, Н.В.Бузовкина, В.А.Гаврилов, О.И.Под-копаев, Е.Н.Воскресенская, А.Г.Прожкевич. Выращивание крупногабаритных кристаллов со структурой силленита на печах с весовым методом контроля диаметра.................228
Н,ВЛ!узовкина, В.М.Денисов, В.Ю.Ендржеевская,
В.М.Скориков. Особенности выращивания монокристаллов германатов и силикатов висмута ..... 230
Я.В.Бурак, Ю.С.КоробиЙ, И.С.Гирнык, Л.Ф.Луцив-Шумс-кий. Особенности выращивания замещенных кристаллов типа КаВ1(Мо1_хЗх04)2........ 232
С.Ф.Бурачас, Б.Л.Тиман, В.Г.Бондарь, Ю.В.Горишний, В.И.Кривошеин. Особенности процесса роста кристаллов сложных оксидных соединений .... 234
-423-
Э.С.Вартанян, Р.К.Овсепян, А.Р.Погосян. Двойное легирование и фотоиндуцированные свойства кристаллов ниобата лития..................237
А.А.ВеЙспалс.Я.А.Сеглиньш, П.А.Вайвод, В.Я.Вилциньш, А.А.Краневскяс. Выращивание и свойства легированных кристаллов В5К и LiNbo, .........239
В.А.Влезко, А.Е.Кох. Применение микро-ЭВМ "Искра 226" для управления процессом выращивания монокристаллов парателлурита ......... ....... 241
В.Т.Габриелян, Л.М.Каэарян, П.Р.Русян. Выращивание
кристаллов сегне то электрического BagU^O^ ^ 243
В.В.Гуров, Г.В.Букин, А.М.Юркин, Н.В.Коваленко. Выращивание монокристаллов хризоберилла, активированных хромом и титаном, методом горизонтальной направленной кристаллизации ........... 246
Н.А.Еськоъ, М.И.Тимошечкин, Н.А.Грошенко, Монокристаллы галлиевых гранатов о гетеровалентными замещениями................. 248
В.В.Ефименко, Н.П.Ивонина, С.А.КутовоЙ, В.В.Лаптев, В.А.Лебедев. Синтез и исследование монокристаллов редкоземельных скандоборатов со структурой хентита.................. 250
Л.И.Ивлева, Н.М.Полозков» Ю.С.Кузьминов, В.В.Воронов* В.М.Ивановская, В.А.Мызина. Выращивание лазерных кристаллов ОаМоО. i Bd.3*..... 262

А.А.Каминский, А.В.Буташин, Б.В.Миллъ. Выращивание и исг-
следование монокристаллов германата Xi/YifeeO,- .... 254
Ю.Ф.Каргин, В.В.Волков, А.Я.Васильев, В.М.Скориков,
В.В.Константинов. Выращивание легированных кристаллов В^12ЭОго, Э -Зь , бе. Тс............255
А.М.Коровкин, В.А.Карпов, Т.И.Меркуляева, Ж.А.Журавлева. Выращивание, физические свойства и применение монокристаллов оксоортосиликатов иттрия и скандия .... 257
В.Н.Курлов, Б.С.Редькин. Использование молибденовых тиглей и формообразователен при выращивании кристаллов танталата лития.......,...........259
В.В.Лаптев. Повышение термической устойчивости редкоземельных ортоборатов со структурой хантита ....... 261
М.В.Мохосоев, Г.Д.Цыренова, Ж.Г.Базарова, З.И.Хажеева,
Особенности образования кристаллов новых двойных но-либдатов и волъфраматов ............... 263
И.И.Наумова, В.В.Тараоенко, Г.И.Яковлева, А.Л.Александровский. Выращивание кристаллов ЛМ/о^^У с регулярной доменной структурой в направлении [0112].......265
Н.С.Никогосян. Выращивание кристаллов молибдата свинца
методами Чохральского и Бриджмена-Стокбаргера .... 268
А.Е.Носенко, Л.В.Костык, Б.В.Падляк, В.В.Кравчишин.
Выращивание и особенности изоморфизма хрома и марганца в кристаллах Са3@а28е3012.............. 270
А.А.Петров, И.Л.Щулыгана, Н.Ф.Картенко, И.П.Сталевская. Монокристаллы титаната бария для систем оптической записи информации.................. 271
Ю.Н.Филин, Б.Т.Мелех, Н.Ф.Картенко, А.И.Шелых, А.А.Андреев, И.А.Смирнов. Выращивание из расплава кристаллов оксидов церия, празеодима и их твердых растворов .... 273
-425-
.А^Холов, П.В.Клевцов, С.Х.Хафизов. Синтез и
монокристаллов натрий-висмутового вольфрамата и литиц_ висмутового молибдата из расплава ...... .... 27Б
Т.Ю.Чемекова, Р.М.Рахманкулов, А.Я.Валтере, 3.C.An^eHg Выращивание тройных галлатов р.э.э. из собственных расплавов...................... 277
А.В.Шкулъков, Ю.Е.Петров, Ю.Н.Смирнов. Выращивани^ монокристаллов МоО из расплава в индукционной ne«%j 0 хо_ лодным тиглем ............. •-•.... 28Э
В.Н.Шлегель, Т.М.Полянская, Л.Э.Горш, В.П.Смахтин. выращивание и морфология монокристаллов германоэвли.тина в условиях низких градиентов температуры • • ^ , . , . 281
Ш. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
А.Н.Буэынин, В.П.Калинушкин, А.Е.Лукьянов, Д.И.Му^ид^ Т.М.Мурина, В.В.Осико, М.Г.Плоппа, В.М.ТатарЦнцеВ1 Крупномасштабные электрически активные приме^н^ дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральско^0 t e ф 286
В.В.Воронко». Агрегация точечных дефектов в крист^лддх
кремния, растущих ив расплава •••••••».... 289
Ю.К.Воронько, Н.А.Еськов, В.В.Осико, A.M.npoxopoBt
А.А.Соболь, М.И.Тимошечкии. Легкоплавкие ла%врные гранаты. Исследование дефектов структуры •;,... 291
В.И.Горилецкий, В.Г.Проценко, А.В.Радкевич, В.И.С>м11|Н1
Л.Г.Эйдельман. Пластический изгиб монокрист^ддоз QSJ вытягиваемых из расплава на ватравке - • « \ , . . . 292
И.К.Засимчук. Дислокационная структура мвталличе^етд моно„
кристаллов/Обзор..........*••!,,... 295
М.Г.МильвидскиЙ. Собственные точечные дефекты и >гроблеиа
однородности монокристаллов полупроводников ..... 297
I. Металлы
О.М.Барайаш, Р.И.Барабаш, О.П.Карасевская. Влия%в условий кристамизации на структуру монокристаллов %квлввого

ШГ.Казаров, Ф;Ф.Лаврентьев. Закономерности образования двойников роста при выращивании из расплава монокристаллов цинка и кадмия.............*• 302
В^С;Кучеренко. Исследование несовершенств кристаллов методом кратковременного перегрева .... ....... 304
2. Полупроводники.
Элементы, соединения Атг , халъкогениды С.В.Беляев, Н.С.Хилимова, М.Ш.Файнер, А.С.Герасименко,
Л.И.Трушина. Ростовые дефекты структуры нелегированных монокристаллов InSe ............... 306
А.В.Беркова, Е.В.Микрюкове, А.Я.Нашельский, С.С.Шифрин, С.В.Якобсон. Формирование дислокационной структуры монокристаллов фосфида индия............ 308
Ю.Н.Болыпева, С.П.Гришина, Г.Н.Семенова, М.Я.Скороход, Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан, С.С.Шифрин. Исследование совершенства кристаллов арсенида галлия, легированного серой............,........... ЭТО
А.Н.Буэынин, В.А.Антонов, В.В.Осико, В.М.Татаринцев.
Особенности и механизм двойникования кристаллов кремния и соединений AV при росте из расплава.....313
А.Н.Буэынин, И.Б.Гричевский, В.П.Калвнушкин, Н.И.Пузанов, А.М.Эйденэон, Н.А.Бутылкина, А.Е.Лукьянов. Сравнительный анализ выявляемости различными методами микродефектов в монокристаллах кремния ...,'.......315
Н.В.Веселовская, Ю.В.Данковский, Т.В.Критская, Исследование микродефектов в кремнии, легированном германием . 316
А.Э.Волошин, В.М.Каганер, В.Н.Рожанский, В.Л.Инденбом. Расширение возможностей плосковолновой рентгеновской топографии для изучения микродефектов в монокристаллах кремния....................... 316
С.Н.Горин, Ю.А.Сидоров, Л.Д.Иванова, Т.Е.Свечникова,
С.Н.Чижевская, Ю.В.Гранатюгаа. Исследование совершенства монокристаллов твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы в связи с условиями выращивания . . 321
-427-
ДЛТ.Грабарский, Г.П.Колчина, А.Н.Попков, А.Г.Милъввдская, С.С.Шифрин. Получение малодислокационных монокристаллов антимонида галлия ................ 324
В.С.Земсков, С.Н.Горин, Т.М.Ткачева, О.В.Пелевин. Г.Н.Петров, В.Ф.Кескюла. Использование магнитных полей, для управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния при выращивании методом Чох-ральского...................... 326
Л.Д.Иванова, М.С.Константинова, Ю.В.Гранаткина. исследование совершенства кристаллов твердых растворов на основе ЗЬ2Те3 с помощью картин каналирования электронов в растровом электронном микроскопе . . ....... 329
П.Н.Кейван, И.П.Когутюк, И.М.Раренко. Активированный мас-
соперенос в монокристаллах антимонидов второй группы , 332
О.А.Кизяев, И.С.Кутовой, Н.А.Потолоков, И.А.Прохоров, В.М.Устинов, Б.Г.Захаров. Рентгенотопографическое исследование реальной структуры монокристаллов теллу-рида кадмия..................... 334
В.А.Кобзарь-Зленко, Е.Д.Ковтун, В.К.Комарь, В.Н.Кулик,
Ю.Б.Полторацкий. Механизм загрязнения расплава селе-нида цинка углеродом при выращивании кристаллов в графитовых тиглях..................336
; И;А.Ковальчук,С.П.Гришина.Е.С,ррова,А.В.Картавых,М.Г.Миль-? видский. Поведение центров EL2 в нестехиометрических
кристаллах полуизолируюиего GaAs при термообработках З3в Н.Н.Колесников. Возможная причина образования пор в кристаллах ZnSe и получение малопористах слитков из
расплава...................... 340
.В.В*Крапухин, Т.В.Кульчицкая, Н.М.Дейнеко, А.А.Глебкин, Е.Н.Холина. Особенности структуры монокристаллов теллурида кадмия.................. 342
М.П.Матвеякин, в.Е.Хрицкий, Э.Н.Хабаров. Влияние условий
роста на физические характеристики профилированного ^ кремния, используемого для производства фотоэлектри-J3 ческих преобразователей............... 344

Я.И.Пуэанов, А.М.ЭЙденэон. Особенности зарождения микроде-
фектов в кремнии .................. 346
А.В.Савицкий, В.П.Шафраник. П.П.Бейсик, П.А.Павлин.
Изучение реальной структуры кристаллов теллурида кадмия, получегмых разными методами.......... 348
И.Б.Савченко, Ю.Н.Иванов. Структура в кристаллах CdS, выращенных из расплава................350
И.В.Степанцова, А.В.Картавых, Е.С.Юрова, с.П.Гришина,
И.Н*Шершакова, С.С.Шифрин. Однородность монокристаллов арсенида галлия, легированных оловом......352
И.В.Степанцева, А.В.Марков, В.Б.Освенский, Н.А.Анастасьева. Связь дислокационной структуры легированных монокристаллов соединений AV с состоянием ансамбля собственных точечных дефектов..............355
Э.Г.ЩеЙхет, Л.М.Сорокин, И.Ф.Чврвоннй, Э.С.Фалькевич. Механизм образования микродефектов при выращивании
монокристаллов кремния ............... 357
Б.Л.Шкляр, Т.В.Критская, Ю.В.ДанковскиЙ. Особенности
генерации и отжига термодоноров в высокоомных монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского , 359 А.М.Эйденэон, Н.И.Пузанов, Е.С.Девшин, с.И.Калшная.
Микродефекты в кремнии, выращенном по методу Чохральского при воздействии на расплав постоянного магнитного поля......................361
3. Диэлектрики а* галогениды
Л.М.Авхутский, С.Н.Бороздин. Свилеподобные дефекты в фаворите, выращиваемом методом Бридхмена........366
М.Г.Буравлева, м.С.Кашган, В.В.Ляхов, Л.М.СоЙфер,
А.А.Тесленко, Б.Л.Тиман, М.И.Шахнович, Остаточные напряжения в закаленных пластинках щелочногалоидных кристаллов с различной концентрацией двухвалентных примесей. . . *................... 368
-429-
Й.Ю.Вандакуров, Е.В.Галактионов, В.М.Крымов, В-С.Ю?ерев. Влияние анизотропии коэффициента преломления на распределение температуры и термических напряжений в прозрачных кристаллах в процессе их выращивания . . . 370
Б.А.Карпинский. Лавиноподобное образование и рост отрицательных кристаллов в пересыщенной вакансиями системе 372
Г.И.Рогальский, с.П.Никаноров. исследование микроструктуры направленно закристаллизованной эвтектической композиции NaF - Сар„...................375
f+
Л.П.Смолъская, Ю.М.Карпов, О.М.Кугаенко, С.В.Серых.
Светорассеивающие центры в кристаллах RCI ...... 378
В«Н.Чередов. Корреляция остаточных напряжений и плотности
дислокаций в оптических монокристаллах флюорита , . . 380
б. Окислы, силикаты и прочие
Е.П.Андреев, Е.И.Бутинев, Е.Р.Добровинская, И.Ф.Звягинцева, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик. О блочности профилированного сапфира, выращенного в условиях многокапиллярной
подпитки зоны кристаллизации ... ......... 384
Х.С.Багдасаров, В.И.Жеков, Т.М.Муряна, А.В.Попов, Н.В.Тарасова, Е.А.Федоров. Образование локальных дефектов субмикронного размера в оптически плотных средах . . 386 А.В.Бологова, С.Н.Ряднов, Г.А.Арзуманян, В.В.Рябченков, : В.А.Федоров, Х.С.Багдасаров, Е.А.Федоров, исследование неоднородностей фазового и химического состава
кристаллов Y3_x_yCexTbyAI50I2............388
В.В.Воронов, А.В.Иванов, Н.И.Марков, В.В.Осико, В.М-Тата-ринцев. исследование степени совершенства монокристаллов диоксида гафния................ , 391
Е.Р.Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик. Связь примесной полосчатости монокристаллов корунда с условиями их формирования.................... 393

В.А.Иванцов, П.И.Антонов, особенности формирования дислокационной и доменной структур ери выращивании профилированных монокристаллов сегнетоэлектрика NaN00 - • • 395
*i
О.А.Кизяев, ф.и.Леднева, Г.В.Большакова, В.М.Устинов, В.Ф.Клепцын. дефекты структуры в монокристаллах 5г{ОаМа,2г)т2°Т9' вир^енных методом Чохральского . . 397
Л.Л.Нагорная, А.Е.Овечкин, г.Х.Роэевберг, П.В.Матейченко, Й.Я.Вострецов. оптические неоднородности, образующиеся при выращивании кристаллов CdW34........400
А^Л.Самсонов, С-В.Бодячевский, Т.С.Бессонова, Е.Г.Щалфеев, Л.А.Аввакумова. Управление вакансионной структурой кристаллов корунда, выращиваемых из расплава в присутствии графита ................... . 401
ТЛЬЯдовец, л.В.Бондаренко. Механизмы образования различных типов пор в профилированном сапфире ....... 403
Авторский указатель ......... .......... 406